外延淀積層的測(cè)定

  厚度與厚度梯度
  目前常用的測(cè)定法有兩種，現(xiàn)介紹如下：

磨角染色法 
外延層和襯底導(dǎo)電類型相反時(shí)使用這種方法。
  1．從待測(cè)的每片硅片上劃下一小塊。這樣做是為了識(shí)別
基座上每片硅片的位置和定位。

  2．淀積后，緊接著從前至后將每片硅片掰成兩半，并將其
中半片裝在磨角器上。大得足以固定半片硅片的磨角器將會(huì)給
測(cè)定帶來很大的方便。

  3．將硅片樣品磨出角度并用象氫氟酸加上
三滴硝酸等那樣的PN結(jié)染色液進(jìn)行染色。
  4．用標(biāo)有刻度的顯微鏡目鏡測(cè)量染色部分，或用單色光源的干涉
儀對(duì)條紋計(jì)數(shù)。

測(cè)量外延層厚度的最普通方法是紅外干涉法。此方法是根
據(jù)輕、重?fù)诫s硅之間在折射指數(shù)方面存在微小的差異。外延層
與襯底的折射指數(shù)方面的這種差異將會(huì)產(chǎn)生反射，在一定條件
下在紅外光照射下能觀察到由這種反射形成的干涉條紋。

硅相當(dāng)硬又很脆，其表面能拋光得光亮如鏡。從性質(zhì)上來
說，硅在很多方面表現(xiàn)為金屬，但在有些方面則介于金屬(導(dǎo)體)
與非金屬(絕緣體)之間。一塊0．02英寸厚的單晶硅片若變形
得厲害就要象玻璃一樣破裂，但與玻璃不同之處在于，硅單晶容
易沿某些固定的平面破裂，而玻璃則無這種情況。

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