熔體中制取各種材料的單晶體凝固樣品分析顯微鏡

由氣相、溶液或是由熔體生產(chǎn)單晶？

  一般較大有單晶或由氣相、溶液和由熔體培育，在這種情況下，
前提是要有高純原材料，此外，總要有均勻穩(wěn)定的環(huán)境，即是說，
溫度變化進程必須均勻，有規(guī)律，應當避免振動，為了從溶液中培
育鹽晶體，用一根細線將一小籽晶懸掛到鹽的飽和和無塵水溶液中
，讓這種溶液很緩慢地蒸發(fā)，于是鹽大多在籽晶上析出，最后長成
較大的單晶體。

  目前，由熔體中制取各種材料的單晶體具有極其重要的意義，培
育時，使熔融物質(zhì)從樣品一端開始定向凝固，從而由八既定取向的
籽晶長成一個大單晶體。

  喬赫拉爾斯單晶拉拔法是由熔體中培育單晶的一種最著名方法，
將整個儀器放在封閉的石英玻璃管內(nèi)，從外邊感應加熱，用帶有籽
晶的棒，經(jīng)過均勻的向上移動并同時圍繞自己的軸旋轉，從而由熔
體拉出單晶，為排除不希望出現(xiàn)的反應，坩堝要用高純材料制成，
設備的內(nèi)腔有純凈的惰性氣體通過，拉制晶體期間，旋轉運動改進
了熔體的混合并產(chǎn)生均勻的溫度分布，適當控制拉拔速度，可使小
的籽晶長成一般粗的晶棒，半導體技術中硅和鍺單晶體的常用尺寸
為：長20到40厘米，直徑介于2至5厘米之間，但最近越來越多地制
出直徑達10厘米的較大晶體，這對于制造大功率元件速度大多的每
小時1到100毫米范圍內(nèi)，過程進展比較迅速，在半導體技術中，通
常往往所有晶體中摻入，即置換型點缺陷在晶體內(nèi)可能地呈均勻分
布。

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