芯片鈍化層電鍍或刻蝕樣品表面粗糙度計量顯微鏡

  對于大多數(shù)光刻膠和光敏聚合物，存在一個穩(wěn)定的發(fā)展趨勢：
使用低成本的水基顯影液代替溶劑型顯影液。此外，這也是綠色制
造的需要。噴水或噴霧顯影是水基顯影液的必備工藝，浸泡式顯影
只適合于實驗室研發(fā)或小批量生產(chǎn)。

  光刻膠只是用于電鍍或刻蝕的臨時材料，因此光刻膠剝離是一
個必要的工藝步驟，并且極大地影響最終的結(jié)果。光刻膠必須在不
損害結(jié)構(gòu)的情況下被完全去除，例如對于電鍍金屬線或凸點的情況
，殘留光刻膠將限制種子層刻蝕。大多數(shù)酚醛樹脂類的正性光刻膠
材料可在堿性水溶液中輕松剝離。相反，負(fù)性光刻膠在曝光過程中
聚合，因此必須采用更強(qiáng)的剝離劑，主要為NMP甚至胺類的有機(jī)溶
劑。相對于將光刻膠壓片的PCB工業(yè)，因此存在金屬腐蝕的危險，
封裝中必須使用不腐蝕設(shè)備的剝離劑。

采用兩種不同的有機(jī)溶液剝離劑，對電鍍SnCu凸點的光刻膠剝離進(jìn)
行了評估，第一種剝離劑強(qiáng)烈腐蝕Cu孔洞，與之相比，第二種剝離
劑則腐蝕Sn。
  用于再分配層(RDL)的聚合物
 一直采用聚合物涂層(如聚亞氨酯、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂和硅膠
)來保護(hù)印制電路板(PCB)免受濕氣、操作和環(huán)境影響。為了滿足對
離子高度敏感的芯片鈍化層需求，必須開發(fā)特殊的半導(dǎo)體等級的聚
合物。尤其對于環(huán)氧樹脂，必須采用多步精餾過程，去除標(biāo)準(zhǔn)環(huán)氧
樹脂合成中作為副產(chǎn)品的鈉離子與氯離子。聚酰亞胺作為存儲芯片
與其他器件的標(biāo)準(zhǔn)鈍化層，用于芯片操作和測試過程中的表面保護(hù)
。為了降低工藝成本，曾經(jīng)開發(fā)了光敏合成樹脂，但光敏樹脂的基
礎(chǔ)材料價格更高。干法刻蝕需要掩膜板，掩膜板既可以是物理沉積
和加工的金屬層硬板，也可以通過涂覆厚光刻膠制備。

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