鑄造、軋制、鍛造晶體結(jié)構(gòu)樣品金相顯微鏡

  材料中的單個(gè)晶粒的方向可能是隨意的或者是沿著某一個(gè)特定
的優(yōu)先晶體學(xué)方向。在多晶體中晶體的結(jié)晶學(xué)方向的總數(shù)成為材料
織構(gòu)?？棙?gòu)可能在電沉積、鑄造、軋制、鍛造、擠壓、拔絲和退火
的過程中形成。特殊的織構(gòu)類型和強(qiáng)度由材料（晶體結(jié)構(gòu)、相分布
和純度等）和加工工藝決定。由于本書的很多部分都涉及金屬帶材
鑄造和進(jìn)一步加工，如軋制、成型和熱處理中織構(gòu)生長，所以附錄
B中提供了理解和解釋織構(gòu)所需的信息。宏觀方法包括X射線和中子
衍射，微觀方法包括利用EBSD和TEM纖維衍射實(shí)現(xiàn)掃描電鏡或透射
電鏡中的電子衍射。經(jīng)常應(yīng)用的X射線技術(shù)結(jié)合背反射來產(chǎn)生極圖
，通過一些極圖的數(shù)學(xué)結(jié)合來獲得更多詳細(xì)的織構(gòu)信息。這項(xiàng)技術(shù)
的缺陷是由于X射線探測(cè)樣品深度的限制( 0.1mm)導(dǎo)致的材料檢測(cè)
體積很小。而且，由于織構(gòu)是大量晶體的平均值，這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于研
究顯微織構(gòu)也很受限制。

  電子背散射衍射(EBSD)
  背散射技術(shù)用于全面自動(dòng)分析織構(gòu)設(shè)備已經(jīng)十幾年了。對(duì)于大
的樣品它允許用晶體學(xué)數(shù)據(jù)建立一個(gè)顯微框架，應(yīng)用從SEM獲得的E
BSD花樣進(jìn)行自動(dòng)計(jì)算機(jī)分析可以對(duì)試樣中某個(gè)選定區(qū)域進(jìn)行點(diǎn)到
點(diǎn)的數(shù)據(jù)收集。一個(gè)典型的背散射裝置如圖B.l所示，它由一個(gè)敏
感的攝像機(jī)、一個(gè)用于圖案均勻和背景削減的成像系統(tǒng)組成。采集
軟件控制數(shù)據(jù)的采集、衍射花樣的求解和數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存。

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