2021年5月26日下午，聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASA 016-20XX《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》標(biāo)準(zhǔn)草案線上討論會(huì)順利召開。本次會(huì)議共計(jì)15位專家代表參與標(biāo)準(zhǔn)研討。

會(huì)議由聯(lián)盟標(biāo)委會(huì)高偉博士主持，聯(lián)盟秘書長于坤山提到團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)作為國行標(biāo)的補(bǔ)充，具有十分重要的意義，目前第三代半導(dǎo)體特別是碳化硅相關(guān)的應(yīng)用發(fā)展迅速，國內(nèi)外都非常的關(guān)注，但是缺乏相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的制定有助于促進(jìn)相關(guān)平臺(tái)的建設(shè)，推動(dòng)企業(yè)研發(fā)工作的同時(shí)促進(jìn)上下游之間的交流。

本次會(huì)議主要針對T/CASA 016-20XX《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》標(biāo)準(zhǔn)草案的范圍、術(shù)語與定義、試驗(yàn)方法等內(nèi)容進(jìn)行充分討論，并提出了諸多修改意見。SiC MOSFET的熱阻在熱管理設(shè)計(jì)中具有重要作用，熱阻能夠?yàn)槠骷\(yùn)行時(shí)的結(jié)溫評估與結(jié)構(gòu)評價(jià)提供信息，為器件設(shè)計(jì)與優(yōu)化改進(jìn)提供參考，衡量器件散熱性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。準(zhǔn)確的熱阻測試對于SiC MOSFET的鑒定、評價(jià)具有重要意義。