無損測試失效封裝分層分析光學檢測顯微鏡應用

EOS失效分析——選擇正確的工具

  失效分析過程的一個關鍵決策是選擇正確的工具來找到失效的
可視特征。以下是一些必須做的重要選擇：
  ·使用有損還是無損失效分析技術?
  ·失效發(fā)生在底盤、印制電路板還是器件上?
  ·發(fā)生失效的器件的特征尺寸是多少?
  ·提供了最多信息的是哪一種工具?
  ·有多少時間來進行失效分析?
  ·工具可靠性和時間表是什么?
  使用有損還是無損技術取決于失效的位置和損傷的物理尺寸大
小。失效在系統(tǒng)中的位置會影響工具的選擇。
  鑒于在半導體器件發(fā)生故障時，選擇的工具可能會取決于器件
的特征尺寸大小。有些工具可以提供更多的信息，但需要更多的工
作和時間。因此，有些失效分析過程達到實際失效分析時間、樣品
準備時間及工具信息獲取和使用時間等時間極限。工具的選取是工
具技術、工具所能帶來的信息和工具實際可用性之間的一個平衡及
取舍。

無損測試失效分析可以保持EOS故障現(xiàn)場，不破壞原樣品。對于同一樣品
允許應用多種技術。可以使用以下無損檢測：
  ·光學檢測；
  ·超聲顯微鏡檢測；
  ·X射線檢測；
  ·電氣測量。
  對于外部光學檢測，可以看到很多觀測點：
  ·封裝成型損傷；
  ·引線損傷；
  ·異質材料；
  ·開裂；
  ·塑封變色；
  ·腐蝕損傷；
  ·2．5一D系統(tǒng)線綁定；
  ·半導體芯片間3一D系統(tǒng)的封裝分層。
  超聲顯微鏡檢查使用了聲吶。超聲顯微鏡可以用來觀察與EOS相關的塑料
分層和封裝的芯片分離?？梢钥吹剑?br>  ·頂部芯片分離；
  ·漿料損傷；
  ·引線進水；
  ·熱空孔和電氣空孔；
  ·水腔(會導致腐蝕和封裝“爆米花”式的破裂)。
  x射線檢測以觀察EOS誘發(fā)的綁定線不完整、引線結構受損和芯片分離。

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