| 圖片 |
標(biāo) 題 |
更新時(shí)間 |
 |
NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)
NLD-4000(A)全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD
|
2025-01-23 |
 |
NLD-3500(A)全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備
NLD-3500(A)全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD
|
2025-01-23 |
 |
NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)
NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)概述：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7T
|
2025-01-23 |
 |
NMC-4000 MOVPE設(shè)備
MOVPE設(shè)備概述：MOVPE，也就是大名鼎鼎的MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積), 針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有加熱的氣體管路、5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、PC全自動(dòng)控制、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、 250
|
2025-01-23 |
產(chǎn)品分類
