光學(xué)薄膜 光學(xué)薄膜由薄的分層介質(zhì)構(gòu)成的，通過界面?zhèn)鞑ス馐囊活惞鈱W(xué)介質(zhì)材料。光學(xué)薄膜已廣泛用于光學(xué)和光電子技術(shù)領(lǐng)域，制造各種光學(xué)儀器。主要的光學(xué)薄膜器件包括反射膜、減反射膜、偏振膜、干涉濾光片和分光鏡等等。利用光學(xué)薄膜可提高硅光電池的效率和穩(wěn)定性。光學(xué)薄膜的特點(diǎn)是：表面光滑，膜層之間的界面呈幾何分割；膜層的折射率在界面上可以發(fā)生躍變，但在膜層內(nèi)是連續(xù)的。 精品推薦
品牌： 美國MicroChem 型號(hào)： SU-8 2000 系列/SU-8 3000 系列 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：香港電子器材有限公司

產(chǎn)品簡介Microchem的產(chǎn)品分類: Application Note (pdf) SU-8 2000 and 3000 series ResistsKMPR 1000 PhotoresistPMGI and LOR ResistsPMMA ResistAncillariesMicroSpraySU-8 2000 系列- 厚度范圍，單層涂膠厚度為 0.5 to 200 μm- 高深寬比： 10:1- 更多揮發(fā)性溶劑，與傳統(tǒng)去邊工藝兼容- 降低了極性溶劑含量減小表面張力- 表面活性成分，改善涂覆效果- 多用于MEMS，鈍化層應(yīng)用LED 微流以及光電子器件制作SU-8 3000 系列SU-8 3000常用于永久性結(jié)構(gòu)制作，較SU-8 2000具有更好的基底粘附力，更不易于在工藝過程中產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力積累。高深寬比： 5:1。常用于光電器件，MEMS芯片制作，以及作為芯片絕緣、保護(hù)層使用。相關(guān)溶液：稀釋劑：SU-8 Thiner,顯影液：SU-8 Developer 去膠劑：Remover PG，增附劑：OmniCoat10μm features in 50μm SU-8 3000 (contact expose)Source: MicroChem內(nèi)應(yīng)力對(duì)比圖熱穩(wěn)定性和機(jī)械性能對(duì)比Learn MoreSU-8 3000 Data SheetFAQsTable of PropertiesTechnical References: SU-8DisclaimerAPPLICATIONS NOTESPassivationMicrofluidics KMPR系列KMPR為負(fù)性光刻膠，具有與SU-8光刻膠相同的側(cè)壁效果與深寬比( 5:1 )，易于去除。常用于MEMS,電鑄，DRIE等。相關(guān)溶液：去膠：Remover PG顯影：堿性 TMAH 2.38%，或有機(jī) SU-8 developerMaterial uses:MEMSDRIEElectroplatingPermanent StructuresMaterial attributes:High aspect ratio with vertical sidewallsHigh chemical and plasma resistanceGreater than 100 μm film thickness in a single coatExcellent adhesion to metalsWet strips in conventional strippersExcellent dry etch resistancePlatingPermanentDeep EtchPlating (100 μM tall Ni posts, KMPR removed)Electroformed Ni gear after stripping KMPRSource: Univ. of BirminghamLearn MoreKMPR Data SheetDisclaimerAPPLICATIONS NOTESPixel WallsDielectric LayersHAR Micro-plated structuresPMGI LOR 底層去阻PMGI與LOR去阻，可提高生產(chǎn)量。金屬剝離處理中的各種從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和無線芯片的應(yīng)用，以微機(jī)電系統(tǒng)。使用下面的雙層堆疊光致抗蝕劑，PMGI和LOR延伸剝離處理的限制之外，其中單層抗蝕策略可以達(dá)到。這包括非常高的分辨率金屬（4μm微米）的金屬化。這些獨(dú)特的材料，可在各種處方，以滿足幾乎所有客戶的需求。PMGI與LOR抵抗使產(chǎn)量高，金屬剝離處理中的各種從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和無線芯片的應(yīng)用，以微機(jī)電系統(tǒng)。使用下面的雙層堆疊光致抗蝕劑，PMGI和LOR延伸剝離處理的限制之外，其中單層抗蝕策略可以達(dá)到。這包括非常高的分辨率金屬（4μm微米）的金屬化。這些獨(dú)特的材料，可在各種處方，以滿足幾乎所有客戶的需求。Material uses:metal lift-off processingAirbridge fabricationRelease layersMaterial attributes:不會(huì)混用時(shí)，過涂有光刻膠成像 雙層堆疊的TMAH或KOH開發(fā)單步發(fā)展熱穩(wěn)定性高：TG?190℃快速，干凈地消除在常規(guī)Resist stripper 啟用子.250微米微米的雙層光阻成像可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量，很厚的（ 3μm）的金屬剝離處理LOR雙層Lift-off專用光刻膠高分辨，可用于 0.25 μm Lift-off 工藝undercut 結(jié)構(gòu)可控，溶解速率易于調(diào)節(jié)在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力與 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻膠等兼容良好的耐熱穩(wěn)定性去膠容易，剝離干凈Bi-Layer Lift-Off Process              Lift-Off: An enabling, additive lithographic processGaAs Modulator with Al airbridgeSource: NortelPMGI used as a sacrificial layer on which the airbridge was built. The PMGI layer was subsequently removed with conventional resist removal processing. Learn More LOR / PMGI Data SheetFAQsProduct Selection GuideRange of ProductsOptimization of Bi-Layer Lift-off Resist ProcessAPPLICATION NOTESAirbridgesT-GateMicrolensesCantileversMicrofluidics PMMA光刻膠PMMA正性抗蝕劑是基于特殊牌號(hào)聚甲基丙烯酸甲酯的目的是提供高對(duì)比度，高分辨率的電子束，遠(yuǎn)紫外線（220-250nm的）和X-射線光刻工藝。此外，聚甲基丙烯酸甲酯通常被用作保護(hù)層中的III-V器件晶片減薄的應(yīng)用程序。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品包括廣泛的氯苯配制的膜厚，或更安全的溶劑苯甲醚495000和950000的分子量（MW）。另外50,000，100,000，200,000和220萬兆瓦可根據(jù)要求提供。共聚物的抗蝕劑是基于PMMA的?8.5％的甲基丙烯酸的混合物。共聚物甲基丙烯酸甲酯(8.5)MAA 常用于與聚甲基丙烯酸甲酯組合在雙層剝離抗蝕劑工藝，其中的每一個(gè)光盤的大小和形狀的獨(dú)立控制抗蝕劑是必需的層。標(biāo)準(zhǔn)的共聚物的抗蝕劑被配制在更安全的溶劑乳酸乙酯和可在一個(gè)寬范圍的薄膜厚度的。此外，甲基丙烯酸甲酯（17.5）MAA共聚物的抗蝕劑可根據(jù)要求提供。應(yīng)用于 PMMA Ccopolymer Resists （MMA (8.5)MAA)T-gate resulting from PMMA/Copolymer bilayer resist stack. 相關(guān)溶液:電子束抗蝕劑：可用于電子束，X線，DUV曝光 特征尺寸： 0.1μm，多種分子量和固含量可選與多數(shù)基底的粘附力非常好，亦適合多層涂覆工藝顯影液 MIBK：IPA分子量大?。?95K,950K，其它可選溶劑： 苯甲醚A或氯苯C固含量：2%~11%，或其它可選。用途： 電子束光刻，晶圓減薄，T-Gate等。PMMA Copolymer Resists:PMMA Resist Data Sheet應(yīng)用Top Layer Construction Combined Layer Construction?Lightlink Optical Waveguide Materials 光波導(dǎo)材料Licensed from the Dow Chemical Company (陶氏化學(xué)授權(quán))  Lightlink?產(chǎn)品線 是專為軟或硬基板上制造平面高分子光內(nèi)連線而設(shè)計(jì)開發(fā). 本類矽氧烷材料展現(xiàn)極佳光學(xué)特性和對(duì)熱及濕氣的穩(wěn)定性, 因此極為適合應(yīng)用在光波導(dǎo)上. 對(duì)於其他有光學(xué)特性及環(huán)境穩(wěn)定性需求的應(yīng)用亦有極高潛力. 產(chǎn)品應(yīng)用: 多模傳輸(830-860 nm) 單模傳輸 (1300-1500 nm, 短路徑) 板級(jí)光互連 材料特色: 相容於目前制程設(shè)備可使用微影定義圖形, 水系顯影劑, 支援1:1深寬比和10um解析力對(duì)可見光及進(jìn)紅外光有高穿透性低光損達(dá) 0.05 dB/cm at 850 nm低雙折 射 0.0001 at 850 nm優(yōu)越的環(huán)境及濕度可靠性高機(jī)械強(qiáng)度 光波導(dǎo)制造流程概覽步驟 1. 涂布及烘烤LIGHTlink? Clad步驟 2. 涂布及烘烤LIGHTlink? Core 步驟 3. 曝光及曝後烤, 顯影LIGHTlink? Core步驟 4. 涂布及烘烤LIGHTlink? CladCore structure on Silicon  spin-coating, softbakeand mask lithography.Source: MicroChemWaveguide structure on FR4 PCB spin-coating,softbake and mask lithography.Source: MicroChem PriElex? Jettable Polymeric MaterialsPriElex?是一個(gè)新的具有功能性油墨的高分子材料，可用噴墨印刷的方式來制作電子元件。PriEl?x聚合油墨設(shè)計(jì)及噴墨特性的優(yōu)化，可適用於無光罩式微影、快速成型、和乾凈非接觸式印刷。比起其它一般光阻材料PriEl?x更為了噴墨性能，例如粘度、蒸發(fā)速率、表面張力、等待時(shí)間，耐熱穩(wěn)定性等來做特別開發(fā)。MicroChem目前可提供XPPriEl?x SU-8 1.0，是一種可噴墨式的SU-8光阻材料，可用噴墨方式來制作單層或多層的結(jié)構(gòu)。配合FUJIFILM Dimatix 材料噴墨機(jī)使用，可應(yīng)用在微結(jié)構(gòu)制造上。目前還有其它功能性噴墨材料在研發(fā)中。 PriElex? SU-8 材料用途:不需要光罩微影可制作永久的三維結(jié)構(gòu)可涂布在不規(guī)則面的底材上可圖案化做絕緣和隔離層使用蝕刻遮罩和其它應(yīng)用PriElex? SU-8 材料屬性:低溫固化 ( 150° C)光學(xué)透明性佳優(yōu)異熱穩(wěn)定性高耐化性低楊氏系數(shù)減少材料浪費(fèi)Continuous Printed PatternsPriElex? SU-8 Direct Write: 5 passes, linear scanSource: MicroChem Corp Additive Via FabricationVia pattern created with additive inkjet processSource: MicroChem Corp

品牌： 美國DJ MicroLaminates 型號(hào)： SUEX/SUEX Plus/ADEX 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：香港電子器材有限公司

產(chǎn)品簡介SUEX/SUEX Plus/ADEX干膜光刻膠- 總處理時(shí)間：小于5分鐘- 卓越的厚度均勻性， 邊緣無光刻膠堆積- 高熱穩(wěn)定性-高韌性- 無銻化學(xué)環(huán)境，無材料浪費(fèi) 選擇干膜的優(yōu)勢- 無需昂貴的勻膠和烘膠設(shè)備- 對(duì)Fab環(huán)境要求較低- 整片晶圓上厚度均勻- 無需去邊工藝- 100%平坦化（真空壓膜）- 膠膜內(nèi)部成份分布均勻- 適合UV和X射線曝光- 高透過率- 生產(chǎn)過程中減少了溶劑使用- 綠色環(huán)保 ?

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