
品牌: 韓國ECOPIA 型號: LC-100, LC-102 產(chǎn)地:韓國 供應(yīng)商:上海載德半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備(LPCVD)產(chǎn)地:韓國Ecopia;有單管和雙管兩個不同的型號,用于科研或者小規(guī)模生產(chǎn)。性能和特點: - 溫度范圍:500 ~ 1000攝氏度;- 氣體混合能力(帶有質(zhì)量流量計);- 真空范圍:~ 10-6 Torr;典型應(yīng)用:- 無應(yīng)力氮化硅;- LPCVD;- 退火;- 氧化;- 其他...
品牌: 韓國ECOPIA 型號: RTCVD 產(chǎn)地:韓國 供應(yīng)商:上海載德半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 快速熱化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) (RTCVD)生產(chǎn)商:韓國EcopiaRTCVD快速熱化學(xué)氣相沉積設(shè)備廣泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常見半導(dǎo)體薄膜的沉積和制備。性能和特點:- 溫度范圍:室溫 ~ 1500°C;- 升溫速度:200°C/s;- 氣體混合能力(帶有質(zhì)量流量計);- 真空度:~10-6Torr;
微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD), 通過等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量硬質(zhì)薄膜和晶體。 MPCVD是世界公認的制備大尺寸單晶金剛石有效手段之一。德國iplas公司專利的 CYRANNUS 等離子技術(shù)解決了傳統(tǒng)等離子技術(shù)的局限,可以在10mbar到室壓范圍內(nèi)激發(fā)高穩(wěn)定度的等離子團,最大限度的減少了因氣流、氣壓、氣體成分、電壓等因素波動引起的等離子體狀態(tài)的變化,從而確保單晶生長的持續(xù)性,為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。 iplas CYRANNUS系列產(chǎn)品特點: 1. CYRANNUS技術(shù)無需在樣品腔內(nèi)安裝內(nèi)部電極,在沉積腔內(nèi),沒有工作氣體以外的任何物質(zhì),潔凈,無污染源。等離子發(fā)生器可以保持長壽命,并可以確保腔內(nèi)的等離子體的均勻分布,進一步生成晶體的純凈度和生長周期。 2. CYRANNUS技術(shù)的腔外多電極設(shè)置,確保等離子團穩(wěn)定生成于腔內(nèi)中心位置,對腔壁、窗口等無侵蝕作用,減少雜質(zhì)來源,提高晶體純度。由CYRANNUS系統(tǒng)合成的金剛石,純度均在VVS級別以上。 3. 電子溫度和離子溫度對中性氣體溫度之比非常高,運載氣體保持合適的溫度,因此可使基底的溫度不會過高。 4. 微波發(fā)生器穩(wěn)定易控,能在從10mbar到室壓的高壓強環(huán)境下維持等離子體,在氣流、氣壓、氣體成分、電壓出現(xiàn)波動時,確保等離子體狀態(tài)的穩(wěn)定,保證單晶生長的過程不被上述干擾而中斷,有利于獲得大尺寸單晶金剛石。 5. 可以采用磁約束的方法,約束在等離子團在約定的空間內(nèi),微波結(jié)和磁路可以兼容。 6. 安全因素高。高壓源和等離子體發(fā)生器互相隔離,微波泄漏小,容易達到輻射安全標(biāo)準。 7. 可搭配多種功率微波源和不同尺寸腔體,滿足從實驗室小型設(shè)備到工業(yè)大型裝置的不同需要。最大可以對300mm直徑的襯底沉積金剛石薄膜。 化學(xué)機理概要: 碳氫化合物:提供沉積材料 氫氣:生成sp3鍵 氧:對石墨相/sp2鍵侵蝕 惰性氣體:緩沖氣體,或生成納米晶體。適用合成材料: 大尺寸寶石級單晶鉆石 高取向度金剛石晶體 納米結(jié)晶金剛石 碳納米管/類金剛石碳(DLC) 金剛石薄膜 寶石級鉆石 vvs1,~1 carrat, E grade 多種等離子發(fā)生器選擇: 頻率:2.45GHz, 915MHz: 功率:1-2kW, 1-3kW, 3-6kW,1-6kW,5-30kW 等離子團直徑:70mm, 145mm, 250mm, 400mm 工作其他范圍:0-1000mBar 其他應(yīng)用: MPCVD同樣適用于平面基體,或曲面顆粒的其它硬質(zhì)材料如Al2O3,c-BN的薄膜沉積和晶體合成。德國iplas公司憑借幾十年在等離子技術(shù)領(lǐng)域的積累,可以為用戶提供高度定制的設(shè)備,滿足用戶不同的應(yīng)用需要。
品牌: 德國Diener 型號: TETRA240 產(chǎn)地:德國 供應(yīng)商:上海爾迪儀器科技有限公司 該PECVD系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。主要技術(shù)參數(shù):PC控制軟件RF發(fā)生器 0~3000W 脈沖模式腔體防腐處理,400*400*1500mm,240L腔體加熱80℃帶觀察窗多路工藝氣體通道,MFC控制 防腐處理HMDSO單體通道易燃易爆氣體安全閥Gas Shower氣浴電極設(shè)備外尺寸2000*600*1700mm進口真空泵組電壓 3項400V
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