電子束刻蝕系統(tǒng) 電子束刻蝕系統(tǒng)是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。電子束刻蝕系統(tǒng)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。由于曝光束不同，刻蝕技術(shù)可以分為光刻蝕、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕。 精品推薦
品牌： 韓國ECOPIA 型號： M-100 產(chǎn)地：韓國 供應(yīng)商：上海載德半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

儀器簡介：光刻機(jī)/紫外曝光機(jī) (Mask Aligner)原產(chǎn)國: 韓國，唯一能做到圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）光刻機(jī)，高性價(jià)比型號：KCMA-100；又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)，光刻機(jī)，紫外曝光機(jī)等；ECOPIA為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，多年來致力于掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)和勻膠機(jī)研發(fā)與生產(chǎn)，并且廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、生物器件和納米科技領(lǐng)域；該公司是目前世界上最早將光刻機(jī)商品化的公司之一，擁有雄厚的技術(shù)研發(fā)力量和設(shè)備生產(chǎn)能力；并且其設(shè)備被眾多著名企業(yè)、研發(fā)中心、研究所和高校所采用；以優(yōu)秀的技術(shù)、精湛的工藝和良好的服務(wù)，贏得了用戶的青睞。感謝南開大學(xué)，中科院半導(dǎo)體所,中科院長春應(yīng)化所，中科院物理所，浙江師范大學(xué)使用此設(shè)備做課題研究??！此型號光刻機(jī)是所有進(jìn)口設(shè)備中性能價(jià)格比最高的型號，達(dá)到歐美品牌的對準(zhǔn)精度，CCD顯示屏對準(zhǔn)更為方便，液晶觸摸屏操作，采用歐司朗紫外燈，壽命長。整機(jī)效果皮實(shí)耐用，正常使用3年內(nèi)不會出問題?。∧壳?，上海藍(lán)光已采用該公司全自動型光刻機(jī)做LED量化生產(chǎn)，證明其品質(zhì)達(dá)到LED產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求??！而且已經(jīng)成功提供圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）光刻工藝設(shè)備.技術(shù)參數(shù)：- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；- 光束均勻性： ±3%；- 曝光時(shí)間可調(diào)范圍：0.1 to 999.9秒；- 對準(zhǔn)精度：0.6-1微米- 分辨率：1微米；- 光束輸出強(qiáng)度：15-25mW/cm2；項(xiàng)目技術(shù)規(guī)格曝光系統(tǒng)(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact : 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4.25×4.25 inch光束均勻性≤ ±3% (4inch standard)光束強(qiáng)度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光時(shí)間可調(diào)整0.1 to 999.9 sec對準(zhǔn)系統(tǒng)(Alignment System)對準(zhǔn)精度1um對準(zhǔn)間隙手動調(diào)節(jié)(數(shù)字顯示)光刻模式真空, 硬接觸, 軟接觸，漸進(jìn)（Proximity）卡盤水平調(diào)節(jié)楔形錯(cuò)誤補(bǔ)償Wedge Error Compensation真空卡盤移動X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移動范圍10mm接近調(diào)整步幅1um樣品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum -200 mbar (系統(tǒng)包含真空泵)壓縮空氣 CDA 5Kg/cm2氮?dú)?N2 3Kg/cm2電源 Electricity220V, 15A, 1Phase顯微鏡及顯示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;主要特點(diǎn)：- 光源強(qiáng)度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系統(tǒng)控制：手動、半自動和全自動控制；- 曝光模式：真空接觸模式(接觸力可調(diào)),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盤范圍可調(diào)；- 專利技術(shù)：可雙面對準(zhǔn)，可雙面光刻，具有IR和CCD模式- 兩個(gè)CCD顯微鏡系統(tǒng)，最大放大1000倍，顯示屏直接調(diào)節(jié)，比傳統(tǒng)目鏡對準(zhǔn)更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盤可定做；- 具有楔形補(bǔ)償功能；

品牌： 德國Allresist 型號： AR 產(chǎn)地：德國 供應(yīng)商：北京匯德信科技有限公司

光刻膠（resist）概述 光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)，封裝(Packaging)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板顯示器(LED,LCD,OLED)，太陽能光伏(Solar PV)等領(lǐng)域。 德國ALLRESIST公司是從事光刻用電子化學(xué)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的專業(yè)公司，有豐富的經(jīng)驗(yàn)和悠久的傳統(tǒng)?？梢詾槟峁└鞣N標(biāo)準(zhǔn)工藝所用的紫外光刻膠，電子束光刻膠（抗蝕劑）以及相關(guān)工藝中所需要的配套試劑。 北京匯德信科技有限公司作為德國ALLRESIST的國內(nèi)獨(dú)家代理經(jīng)銷商，為國內(nèi)用戶提供高品質(zhì)的光刻膠以及配套服務(wù)。產(chǎn)品類型：1.紫外光刻膠（Photoresist） 各種工藝：噴涂專用膠，化學(xué)放大膠，lift-off膠，圖形反轉(zhuǎn)膠，高分辨率膠，LIGA用膠等。 各種波長: 深紫外(Deep UV)、I線(i-line)、G線(g-line)、長波(longwave)曝光用光刻膠。 各種厚度: 光刻膠厚度可從幾十納米到上百微米。 2. 電子束光刻膠（電子束抗蝕劑）（E-beam resist） 電子束正膠：PMMA膠，PMMA/MA聚合物， LIGA用膠等。 電子束負(fù)膠：高分辨率電子束負(fù)膠，化學(xué)放大膠（高靈敏度電子束膠）等。3. 特殊工藝用膠（Special manufacture/experimental sample） 電子束曝光導(dǎo)電層，耐酸堿保護(hù)膠，全息光刻用膠，聚酰亞胺膠（耐高溫保護(hù)膠）等特殊工藝用膠。4. 配套試劑（Process chemicals） 顯影液、除膠劑、稀釋劑、增附劑（粘附劑）、定影液等。 產(chǎn)品特點(diǎn)1. 光刻膠種類齊全，可以滿足多種工藝要求的用戶。 產(chǎn)品種類包含：各種厚度的紫外光刻膠（正膠或負(fù)膠），lift-off工藝用膠，LIGA用膠，圖形反轉(zhuǎn)膠，化學(xué)放大膠，耐刻蝕保護(hù)膠，聚酰亞胺膠，全息曝光用膠，電子束光刻膠（包含PMMA膠、電子束負(fù)膠、三維曝光用膠（灰度曝光用膠）、混合曝光用膠等）2. 光刻膠包裝規(guī)格靈活多樣，適合各種規(guī)模的生產(chǎn)、科研需求。 包裝規(guī)格包含：250毫升、1升、2.5升等常規(guī)包裝，還提供試驗(yàn)用小包裝，如30毫升、100毫升等。3. 交貨時(shí)間短。 我們每個(gè)月20號左右都會向德國廠商下訂單，產(chǎn)品將于第二個(gè)月中旬到貨，您可以根據(jù)實(shí)際情況，合理安排采購時(shí)間。具體的訂購情況，請聯(lián)系我們的銷售人員。4. 可以提供高水準(zhǔn)的技術(shù)咨詢服務(wù)，具有為客戶開發(fā)、定制特殊復(fù)雜工藝用光刻產(chǎn)品的能力。5. 儲存條件： 密閉儲存在容器中并置于避光、干燥陰涼、通風(fēng)良好之處。 儲存在適當(dāng)?shù)臏囟认隆Ｔ斍檎埪?lián)系我們的銷售人員。光刻膠理論光刻膠定義 光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。因?yàn)楣饪棠z的作用就是作為抗刻蝕層保護(hù)襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法，因?yàn)楣饪棠z從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體。 光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。當(dāng)紫外光或電子束的照射時(shí)，光刻膠材料本身的特性會發(fā)生改變，經(jīng)過顯影液顯影后，曝光的負(fù)性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面，這樣就將設(shè)計(jì)的微納結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到了光刻膠上，而后續(xù)的刻蝕、沉積等工藝，就可進(jìn)一步將此圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠下面的襯底上，最后再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。 光刻膠按其形成圖形的極性可以分為：正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截?cái)喑啥替湻肿?；?fù)膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉，因此正膠的曝光部分被去掉，而負(fù)膠的曝光部分被保留。 光刻膠一般由4部分組成：樹脂型聚合物（resin/polymer），溶劑（solvent），光活性物質(zhì)（photoactive compound，PAC），添加劑（Additive）。 其中，樹脂型聚合物是光刻膠的主體，它使光刻膠具有耐刻蝕性能；溶劑使光刻膠處于液體狀態(tài)，便于涂覆；光活性物質(zhì)是控制光刻膠對某一特定波長光/電子束/離子束/X射線等感光，并發(fā)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)；添加劑是用以改變光刻膠的某些特性，如控制膠的光吸收率/溶解度等。光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)1. 靈敏度（Sensitivity） 靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。 光刻膠的分辨率是一個(gè)綜合指標(biāo)。影響該指標(biāo)的因素通常有如下3個(gè)方面： （1）曝光系統(tǒng)的分辨率。 （2）光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。 （3）前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。3. 對比度（Contrast） 對比度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。 對比度越好，越容易形成側(cè)壁陡直的圖形和較高的寬高比。4. 粘滯性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。5. 抗蝕性（Anti-etching） 光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。6. 工藝寬容度（Process latitude） 光刻膠的的前后烘溫度、曝光工藝、顯影液濃度、顯影時(shí)間等都會對最后的光刻膠圖形產(chǎn)生影響。每一套工藝都有相應(yīng)的最佳的工藝條件，當(dāng)實(shí)際工藝條件偏離最佳值時(shí)要求光刻膠的性能變化盡量小，即有較大的工藝寬容度。 這樣的光刻膠對工藝條件的控制就有一定的寬容性。特殊光刻膠介紹1. 化學(xué)放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist） 化學(xué)放大膠中含有一種叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物質(zhì)。在光刻膠曝光過程中，PAG分解，首先產(chǎn)生少量的光酸。在曝光后與顯影前經(jīng)過適當(dāng)溫度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）這些光酸分子又發(fā)連鎖反應(yīng)，產(chǎn)生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻膠的曝光部分變成可溶（正膠）或不可溶（負(fù)膠）。 主要的化學(xué)反應(yīng)是在后烘過程中發(fā)生的，只需要較低的曝光能量來產(chǎn)生初始的光酸，因此化學(xué)放大膠通常有很高的靈敏度。光刻膠推薦：AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以產(chǎn)生曲面的光刻膠剖面，是制作三維浮雕結(jié)構(gòu)的光學(xué)曝光技術(shù)之一?；叶绕毓獾年P(guān)鍵在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻膠工藝與光刻膠浮雕圖形向襯底材料的轉(zhuǎn)移。傳統(tǒng)掩膜板只有透光區(qū)和不透光區(qū)，而灰度掩膜板的透光率則是以灰度等級來表示的。實(shí)現(xiàn)灰度掩膜板的方法是改變掩膜的透光點(diǎn)密度。 灰度曝光用膠的特點(diǎn)：光刻膠要有較大的黏度。光刻膠要有比較低的對比度。光刻膠的抗刻蝕比盡量和襯底材料的接近。光刻膠推薦：AR-N 77203. LIGA技術(shù) 由厚膠曝光形成深結(jié)構(gòu)的目的是進(jìn)行電鑄，使之轉(zhuǎn)化為金屬深結(jié)構(gòu)，因?yàn)橹挥薪饘俳Y(jié)構(gòu)才是為系統(tǒng)器件所需要的功能結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)又稱為LIGA技術(shù)。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、電鍍、注塑復(fù)制”的縮寫。光刻膠推薦：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等4. lift-off工藝 溶脫剝離法（lift-off）是微納加工中應(yīng)用到的最普遍的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)之一。其基本原理是由光學(xué)或電子束曝光首先形成光刻膠的圖形，在薄膜沉積之后將光刻膠用除膠劑等溶解清除，凡是沒有被光刻膠覆蓋的區(qū)域都留下了金屬薄膜，實(shí)現(xiàn)了由光刻膠圖形向金屬薄膜圖形的轉(zhuǎn)移。光刻膠推薦:AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等5. 電鍍法（electroplating） 電鍍法是轉(zhuǎn)移較厚的金屬結(jié)構(gòu)時(shí)使用到的一種轉(zhuǎn)移技術(shù)。其過程一般為3個(gè)步驟：首先，在襯底材料上制作一層金屬導(dǎo)電薄膜作為電鍍的起始襯底，然后通過光刻或電子束曝光形成光刻膠或抗蝕劑掩膜； 第二步是將制作有光刻膠圖形的基片放在電鍍液中與被鍍金屬電極連接成電流通路，金屬電極在電解液作用下釋放金屬離子并在電場驅(qū)動下沉積到基片表面暴露的金屬層上； 最后，將光刻膠去除，并腐蝕清除襯底表面其余的金屬膜，便得到金屬微結(jié)構(gòu)圖形。光刻膠推薦：AR-P 3200, AR-N 4400等光刻膠選型方法 為方便您選型，請?zhí)顚懝饪棠z用戶調(diào)查表并回傳給我們（傳真：010-82867919或E-mail：contact@germantech.com.cn），您也可以通過公司留言板，給我們留言，索取詳細(xì)資料。我們會盡快與您聯(lián)系！ 更多產(chǎn)品信息，請見：www.germantech.com.cn

品牌： 日本電子 型號： JBX-8100FS 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：捷歐路（北京）科貿(mào)有限公司

最新高精密JBX-8100FS圓形電子束光刻系統(tǒng)，通過全方位的設(shè)計(jì)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更簡便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節(jié)能。

品牌： 日本電子 型號： JBX-3050MV 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：捷歐路（北京）科貿(mào)有限公司

JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 節(jié)點(diǎn)的掩模版/中間掩模版（mask/reticle）的可變矩形電子束光刻系統(tǒng)。 最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進(jìn)重復(fù)式的光刻系統(tǒng)?

品牌： 日本電子 型號： JBX-3200MV 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：捷歐路（北京）科貿(mào)有限公司

JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm節(jié)點(diǎn)的掩模版/中間掩模版（mask/reticle）的可變矩形電子束光刻系統(tǒng)。 最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進(jìn)重復(fù)式的光刻系統(tǒng)?

品牌： 日本電子 型號： JBX-9500FS 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：捷歐路（北京）科貿(mào)有限公司

JBX-9500FS是一款100kV圓形束電子束光刻系統(tǒng)，兼具世界最高水平的產(chǎn)出量和定位精度，最大能容納300mmφ的晶圓片和6英寸的掩模版，適合納米壓印、光子器件、通信設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域的研發(fā)及生產(chǎn)。

品牌： 日本電子 型號： JBX-6300FS 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：捷歐路（北京）科貿(mào)有限公司

JBX-6300FS的電子光學(xué)系統(tǒng)在100kV的加速電壓下能自動調(diào)整直徑為（計(jì)算值）2.1nm的電子束，簡便地描畫出線寬在8nm以下（實(shí)際可達(dá)5nm）的圖形。 此外，該光刻系統(tǒng)還實(shí)現(xiàn)了9nm以下的場拼接精度和套刻精度，性能比優(yōu)越。 利用最細(xì)電子束束斑（實(shí)測值直徑≦2.9nm）可以描畫8nm以下(實(shí)際可達(dá)5nm)極為精細(xì)的圖形。

品牌： 美國IMP 型號： SF-100xCEL/SF-100XPRESS 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：香港電子器材有限公司

產(chǎn)品簡介產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)微米和亞微米光刻 (最小可達(dá)到0.6um線寬) 紫外光直寫曝光,無需掩模，大幅節(jié)約了掩模加工費(fèi)用靈活性高，可直接通過電腦設(shè)計(jì)光刻圖形，并可根據(jù)設(shè)計(jì)要求隨意調(diào)整。可升級開放性系統(tǒng)設(shè)計(jì)。按照客戶要求可從低端到高端自由配置使用維護(hù)簡單, 設(shè)備耗材價(jià)格低。應(yīng)用范圍廣，目前廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、生物芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、傳感器、微化學(xué)、光學(xué)等領(lǐng)域。型號SF-100 XCEL SF-100 XPRESS SF-100 XTREME光學(xué)系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)高分辨率光學(xué)系統(tǒng)高分辨率光學(xué)系統(tǒng)高分辨率光學(xué)系統(tǒng)縮小透鏡None3X任選一個(gè)任選一個(gè)標(biāo)配以下3種縮小透鏡4X10x20X4X10x20X4X10x20X像素尺寸(標(biāo)準(zhǔn)配置)15um5um1.25um0.5um0.25um1.25um0.5um0.25um1.25um0.5um0.25um特征尺寸(標(biāo)準(zhǔn)配置) 45um15um5um2um1um5um2um1um5um2um1um像素尺寸 (配置Sub-micron)--0.936um0.390um0.188um0.936um0.390um0.188um0.936um0.390um0.188um特征尺寸 ((配置Sub-micron) --0.8um1.17um0.60um2.8um1.17um0.60um2.8um1.17um0.60um套刻精度Overlay accuracy (樣品臺配置theta 方向運(yùn)動)--+/-2.5um+/-1.0um+/-0.5um+/-2.5um+/-1.0um+/-0.5um+/-2.5um+/-1.0um+/-0.5um樣品臺無自動 XYZ 線性驅(qū)動樣品臺。XY 行程: 60, 100, 150, 200, 300mm可選, Z 行程5mm 或 25mm可選或選配手動螺桿驅(qū)動樣品臺 XY 行程100mm, Z 行程 25mm可選配 theta 方向運(yùn)動theta 方向運(yùn)動為標(biāo)準(zhǔn)配置或選配自動線性驅(qū)動樣品臺 XY 行程100mm, Z 行程 25mm--設(shè)備尺寸44 W x 26 D x 30 H60 W x 26 D x 36 H或, 44 W x 26 D x 30 H60 W x 26 D x 36 H

品牌： 德國ATM 型號： Kristall 680 產(chǎn)地：德國 供應(yīng)商：弈鎂（上海）貿(mào)易有限公司

KRISTALL 680是一款通過觸屏界面直觀操作的全自動電解拋光蝕刻。具有獨(dú)立的拋光蝕刻單元和控制單元，并可以在通風(fēng)櫥中使用。無需知曉試樣組織情況，通過掃描功能即可顯示材料的電流-電壓特征曲線。將電解液儲存在1升體積的獨(dú)立電解槽中進(jìn)行封蓋儲存，工作時(shí)通過整體更換的方式來更換電解液，極大地方便了拋光蝕刻單元的操作。設(shè)備的清潔可以采用水，通過清洗程序完成。產(chǎn)品特色 全自動電化學(xué)拋光/蝕刻裝置 ATM軟件控制的觸屏顯示 可儲存多達(dá)200個(gè)通過密碼保護(hù)的程序 實(shí)時(shí)電流電壓曲線 輸出電壓和過程持續(xù)時(shí)間可調(diào)

品牌： 日本Ushio 型號： UX-4系列 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：新耕（上海）貿(mào)易有限公司

UX-4系列全自動投影式光刻設(shè)備主要運(yùn)用于大尺寸的LED芯片生產(chǎn)和研發(fā)。同時(shí)又可以運(yùn)用于半導(dǎo)體MEMS芯片的新品開發(fā)和大批量生產(chǎn)。 *最大限度的提高生產(chǎn)良率。（焦點(diǎn)深度可達(dá)±50um） *光刻板和Wafer非接觸，光罩板可以反復(fù)利用無需對光罩板進(jìn)行清洗和更換。 *最大可對應(yīng)到8英寸芯片的生產(chǎn)，1:1一次性曝光。 *設(shè)備利用率可達(dá)97%以上 *真正意義上的全自動，光罩板無需人工裝載。 *產(chǎn)品生產(chǎn)切換簡易。 *焦點(diǎn)深度可達(dá)±50um（可有效對芯片應(yīng)翹曲嚴(yán)重和厚膠工藝） *LED及半導(dǎo)體MEMS芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。

品牌： 日本Ushio 型號： UPE-1255ATL 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：新耕（上海）貿(mào)易有限公司

UPE-1255ATL是被廣泛應(yīng)用于LED芯片研發(fā)和大批量生產(chǎn)的一款自動光刻設(shè)備 *具有較高的設(shè)備穩(wěn)定性。 *具有較高的生產(chǎn)對應(yīng)能力和處理速度 每小時(shí)可達(dá)200WPH以上 *搭載USHIO自主研發(fā)的光學(xué)系統(tǒng)，在提高照度的同時(shí)也提高了光照均一性。 *具有較好的對位識別系統(tǒng)，提高并完善了對位成功率，進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率。 *產(chǎn)品生產(chǎn)切換簡易。 *LED芯片生產(chǎn)工藝的大批量生產(chǎn)。

品牌： 日本Ushio 型號： UPE-1102LU 產(chǎn)地：日本 供應(yīng)商：新耕（上海）貿(mào)易有限公司

Ushio手動光刻設(shè)備UPE-1102LU主要應(yīng)用于LED芯片（藍(lán)白光，紅黃光）研發(fā)和生產(chǎn)當(dāng)中，并且對全自動生產(chǎn)線所產(chǎn)生的LED芯片破片有輔助生產(chǎn)和處理的功能。同時(shí)也能對應(yīng)一些較為特殊材質(zhì)的芯片如：GaAs，SiO2的研發(fā)及生產(chǎn)。 *可調(diào)整光刻間距，最大限度的避免光刻板被污染。 *操作簡易，任何操作人員都能在短時(shí)間內(nèi)熟練掌握。 *產(chǎn)能高于一般同行業(yè)競爭對手，最高可達(dá)80WPH； *可調(diào)整光刻時(shí)間，調(diào)整光強(qiáng)，并可根據(jù)所需累計(jì)光量值自動補(bǔ)償光刻時(shí)間（無需人工調(diào)整）。 *更具客戶端的光刻工藝，可預(yù)先設(shè)定光刻頻道，可最大限度避免人為誤操作的產(chǎn)生。 *LED，半導(dǎo)體的芯片生產(chǎn)和研發(fā)。

品牌： 美國NANonEX 型號： NX-2600 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：上海富格貿(mào)易有限公司

NX-2600 多功能整片基板帶對準(zhǔn)功能多層次的納米壓印和高分辨率光刻系統(tǒng) NX-2600整片基板帶對準(zhǔn)可多層次納米壓印加高分辨率光刻系統(tǒng)經(jīng)過了大量的實(shí)時(shí)實(shí)地驗(yàn)證，質(zhì)量可靠，性能優(yōu)越穩(wěn)定。具備全部壓印模式：熱固化、紫外固化和壓印?；讵?dú)特專利保護(hù)的Nanonex氣墊軟壓技術(shù)（ACP），不論模版或基板背面粗糙程度如何，或是模版或基板表面波浪和弧形結(jié)構(gòu)，NX-2600均可對其校正補(bǔ)償從而獲得無與倫比的壓印均勻性， ACP消除了基板與模版之間側(cè)向偏移，有效地延長了模版使用壽命。通過微小熱容設(shè)計(jì)可獲得快速的熱壓印周期，最終得到快速的工藝循環(huán)。 （www.nanonex.com) NX-2600 具備光刻功能及光學(xué)對準(zhǔn)的復(fù)納米壓印機(jī) --低于1 um的光學(xué)對準(zhǔn)精度 --低于10nm的壓印分辨率 --增強(qiáng)的氣墊軟壓技術(shù)可實(shí)現(xiàn)整個(gè)基片納米壓印均勻性 --整片晶圓（最大8″）納米壓印用于熱塑性和熱固性納米壓印膠 --每一次壓印小于60秒的納米壓印時(shí)間 --4″，5″，6″，8″晶圓可選 主要特點(diǎn)： 所有形式的納米壓印：熱塑化；紫外固化；熱壓與紫外壓印同時(shí)進(jìn)行；熱固化。 氣墊軟壓技術(shù)(ACP)： Nanonex專利技術(shù)； 完美的整片基板納米壓印均勻性； 高通量 低于10nm分辨率； 亞1微米對準(zhǔn)精度； 背面對準(zhǔn)可選項(xiàng)；快速工藝循環(huán)時(shí)間（小于60秒） 靈活性： 4″, 6″, or 8″壓印面積可選； 各種尺寸及不規(guī)則形狀模板與基板均可壓印 熱塑壓印模塊 溫度范圍0～250oC; 加熱速度 300oC/分鐘; 制冷速度 150oC/分鐘; 壓力范圍0 ～ 3.8 MPa（550 psi）
標(biāo)配納米壓印系統(tǒng)可裝載4″基板，6″和8″基板可選; 各種尺寸及不規(guī)則形狀模板與基板均可壓印 獨(dú)特專利保護(hù)ACP技術(shù)可最大限度保護(hù)模板和基板，特別對于象磷化銦（InP）等極易碎模板和基板給予最大限度。 標(biāo)配5”模板，標(biāo)配4”直徑基板； 其他尺寸可以提供； 500瓦紫外水銀燈光源
品牌： 美國NANonEX 型號： Lumina-200 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：上海富格貿(mào)易有限公司

Lumina-200 多功能高精度光刻機(jī) Lumina-200高分辨率光刻機(jī)加對準(zhǔn)系統(tǒng)經(jīng)過了大量的實(shí)時(shí)實(shí)地驗(yàn)證，質(zhì)量可靠，性能優(yōu)越穩(wěn)定。Lumina系列是一款具有高性能，高可靠性，高性價(jià)比，兼具接觸和近程光刻的高分辨率，高對準(zhǔn)精度全功能光刻機(jī)和模板基板對準(zhǔn)機(jī)。Lumina系列在電子，光電子，MEMS，生物芯片等諸多領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。Lumina-200具有極佳的用戶界面，高精度的機(jī)械平臺，高精度光學(xué)，緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 主要特點(diǎn)： 高光刻分辨率；高精度對準(zhǔn)機(jī)械平臺；最新高精度對準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)；精確的間距控制 極佳的計(jì)算機(jī)用戶界面；緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)；高性價(jià)比設(shè)計(jì)；可附加背面對準(zhǔn)功能 應(yīng)用： 半導(dǎo)體器件；光電子器件；MEMS；高端封裝；功率器件 生物芯片 基于超過12年、15代產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)的自動化操作 Nanonex經(jīng)過大量實(shí)時(shí)實(shí)地驗(yàn)證，質(zhì)量可靠，性能優(yōu)越穩(wěn)定 系統(tǒng)參數(shù)： 主平臺 手動控制 X-Y-；馬達(dá)控制 Z； 調(diào)節(jié)范圍：X和Y：1英寸；：10度；Z：0.25英寸 模板加載能力 5”標(biāo)配模板；其他尺寸可提供 基板加載能力 4”標(biāo)配基板；其他尺寸可提供 對準(zhǔn)模式 近程，軟，硬接觸 對準(zhǔn)光學(xué) 分場光學(xué)；5X物鏡，1到7X ZOOM；2軸獨(dú)立手動X,Y,Z顯微鏡調(diào)節(jié) 粗略和精細(xì)對焦；通過CCD相機(jī)成像 曝光系統(tǒng) 紫外：水銀燈G或I線可選；紫外燈功率：500瓦 均勻紫外曝光；馬達(dá)帶動紫外光源
電子束刻蝕系統(tǒng) 儀器網(wǎng)電子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品導(dǎo)購專場為您提供電子束刻蝕系統(tǒng)功能原理、規(guī)格型號、性能參數(shù)、產(chǎn)品價(jià)格、詳細(xì)產(chǎn)品圖片以及廠商聯(lián)系方式等實(shí)用信息，您可以通過設(shè)置不同查詢條件，選擇滿足您實(shí)際需求的電子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品，同時(shí)電子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品導(dǎo)購專場還為您提供精品優(yōu)選電子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品和電子束刻蝕系統(tǒng)相關(guān)技術(shù)資料、解決方案、招標(biāo)采購等綜合信息。