? 碳化硅與其他半導(dǎo)體材料相比，具有高禁帶寬度、高飽和電子漂移、高擊穿強(qiáng)度、低介電常數(shù)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異的物理特點(diǎn)。在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻比硅要低200倍;SiC肖特基二極管具有超快的開(kāi)關(guān)速度，反向恢復(fù)電流幾乎為零，具有超低的開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)點(diǎn)。

　　在國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新能源汽車”重點(diǎn)專項(xiàng)項(xiàng)目“高溫車用 SiC 器件及系統(tǒng)的基礎(chǔ)理論與評(píng)測(cè)方法研究”支持下，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所與株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司研究團(tuán)隊(duì)針對(duì)高溫下SiC芯片存在的高溫電流導(dǎo)通能力退化，大面積芯片電流集中引起的熱電強(qiáng)耦合導(dǎo)致的電流降低(損耗增加)性能退化等問(wèn)題，開(kāi)展了高溫SiC芯片載流子的輸運(yùn)機(jī)理與行為規(guī)律的基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題研究，從載流子傳輸路徑優(yōu)化、電流/電場(chǎng)均衡分布的芯片設(shè)計(jì)思路出發(fā)，利用外延層、有源區(qū)、精細(xì)化終端結(jié)構(gòu)等綜合優(yōu)化技術(shù)，突破高溫下SiC芯片電流輸運(yùn)增強(qiáng)技術(shù)，成功研制車用高溫、大電流、高可靠1200V/100A SiC SBD器件，并通過(guò)該器件的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)等全參數(shù)測(cè)試，以及可靠性摸底試驗(yàn)。結(jié)果顯示，該項(xiàng)目研制的SiC肖特基器件與Cree公司的第五代同電壓等級(jí)的CPW5-1200-Z050B產(chǎn)品的電流密度208A/cm2相比，在電流密度方面具有優(yōu)勢(shì)，在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先水平，即將應(yīng)用于車用SiC模塊的研發(fā)。