政策標準碳化硅材料是一種寬禁帶半導體，適合制備高電壓、高功率、高頻和高溫半導體電子器件，在微波通訊、雷達、電力電子等領域具有廣闊的應用前景，對國民經(jīng)濟和國防建設也具有重要意義。但是碳化硅中雜質(zhì)元素含量對碳化硅材料的研制生產(chǎn)起著非常重要的作用，特別是半絕緣碳化硅中氮雜質(zhì)元素的含量是其半絕緣性能的直接判定依據(jù)。
 　　碳化硅中的雜質(zhì)元素對研制生產(chǎn)起著重要的作用，故而為獲得高純半絕緣特性的碳化硅晶體，必須對雜質(zhì)進行嚴格的控制。目前雖然許多生產(chǎn)和使用碳化硅材料的企業(yè)都對碳化硅中雜質(zhì)含量測試提出了需求，但是尚無相關測試方法的標準或可借鑒的測試方法。為了改變這一情形，中國電子科技集團公司第四十六研究所起草編制了《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測量 二次離子質(zhì)譜法》。
 　　《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測量 二次離子質(zhì)譜法》是按照GB/T 1.1-2020《標準化工作導則 第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的規(guī)定起草的，其內(nèi)容包括有范圍、規(guī)范性引用文件、術語和定義、原理、干擾因素、試驗條件、儀器設備、樣品、試驗步驟、試驗數(shù)據(jù)處理、精密度、試驗報告，規(guī)定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測試方法。
 　　閱讀標準征求意見稿后可知，二次離子質(zhì)譜測試方法需要用到的儀器設備是扇形磁場二次離子質(zhì)譜儀，其原理是在高真空條件下，氧或銫離子源產(chǎn)生的一次離子，經(jīng)過加速、純化、聚焦后，轟擊碳化硅單晶樣品表面，濺射出多種粒子，將其中的離子引出后，通過質(zhì)譜儀將不同荷質(zhì)比的離子分開，記錄并計算樣品中硼、鋁、氮與硅的離子計數(shù)率之比后，即可利用相對靈敏度因子定量分析并計算出碳化硅單晶中的硼、鋁、氮的含量。
 　　鑒于碳化硅材料重要的戰(zhàn)略地位，在我國也受到極大的關注，國家在碳化硅材料科研及產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化都投入了非常大的力量，近兩年在國家重點研發(fā)計劃項目中都布局了碳化硅專項。目前，《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測量 二次離子質(zhì)譜法》正面向社會征求意見，希望相關單位能在仔細研核后提出建設性意見，為標準的進一步完善添磚加瓦。
 　　更多詳情請點擊：《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測量 二次離子質(zhì)譜法》征求意見稿