KRI 考夫曼離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源，非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 就標(biāo)準(zhǔn)的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度.

KRI 考夫曼離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù)：

KRI 考夫曼離子源 RFICP 140 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE