KRI 考夫曼離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 離子源 RFICP 40 設(shè)計(jì)采用創(chuàng)新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開發(fā)應(yīng)用. 離子源 RFICP 40 無(wú)需電離燈絲設(shè)計(jì), 適用于通氣氣體是活性氣體時(shí)的工業(yè)應(yīng)用.標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無(wú)需電離燈絲, 通過射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時(shí)間更長(zhǎng).
2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計(jì), 使用更簡(jiǎn)單; 基座可調(diào)節(jié), 有效優(yōu)化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束
4. 離子源自動(dòng)調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復(fù)的工藝運(yùn)行
5. 柵極材質(zhì)鉬和石墨,堅(jiān)固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測(cè)量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性
KRI 考夫曼離子源 RFICP 40 技術(shù)參數(shù):
KRI 考夫曼離子源 RFICP 40 應(yīng)用領(lǐng)域:
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE 其他產(chǎn)品
電話:+86-21-5046-3511
郵箱:ec@hakuto-vacuum.cn
地址:上海市浦東新區(qū)
新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室
201206
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