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大芯超導(dǎo)有限公司元器件專業(yè)分銷商


BASiC基本半導(dǎo)體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗,TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發(fā)射極端子,繞過柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感,從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關(guān)速度并降低開關(guān)能量。主要規(guī)格有BGH50N65HF1(IKW50N65RH5國產(chǎn)替代,AIKW50N65RF5國產(chǎn)替代,IKW50N65SS5國產(chǎn)替代),BGH50N65ZF1 (IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5國產(chǎn)替代),BGH75N65HF1(IKW75N65RH5,IKW75N65SS5國產(chǎn)替代),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5國產(chǎn)替代),BGH40N120HF(IKW40N120H3,IKW40N120CS6,IKW40N120CS7國產(chǎn)替代)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應(yīng)用包括:車載充電機(OBC)、ESS儲能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS),以及服務(wù)器和電信用開關(guān)電源 (SMPS) ,基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低,適用于車載電源充電機(OBC)、通信電源、高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、儲能等領(lǐng)域。


BASiC基本半導(dǎo)體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關(guān)優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管,基本SiC二極管極小Qrr,有效降低對管IGBT開通損耗,且自身反向恢復(fù)損耗Erec也明顯降低,IGBT開通損耗隨溫度的影響很小,降低EMI,廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器,光伏儲能逆變器,充電樁電源模塊,移動儲能逆變器功率因數(shù)校正(PFC)、DC-DC(直流-直流)和DC-AC(直流-交流)等。


BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC,B1M080120HC,B1M080120HK,B1M032120HC,B1M032120HK具備開關(guān)中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗,以及無閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲,如LLC和ZVS,廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器,光伏儲能逆變器,充電樁電源模塊等,可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅(qū)動器進行驅(qū)動。由于能在高開關(guān)頻率下帶來高效率,從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度,并確保高可靠性,延長使用壽命。


光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H,B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,混合三電平SiC-IGBT模塊,IGBT單管,混合IGBT單管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器SiC MOSFET,三電平IGBT模塊,光儲一體機混合IGBT器件


BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上,實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產(chǎn)品的優(yōu)點,采用JBS結(jié)構(gòu),優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度,減薄N+襯底層,使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC,可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。


公司檔案
公司名稱: 深圳大芯超導(dǎo)有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 ()
所 在 地: 廣東/深圳市 公司規(guī)模:
注冊資本: 未填寫 注冊年份: 2012
資料認證:
保 證 金: 已繳納 0.00
經(jīng)營范圍: CREE碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,英飛凌碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,Wolfspeed碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,英飛凌碳化硅MOSFET模塊國產(chǎn)替代,IMZA120R040M1H國產(chǎn)替代,IMW120R040M1H國產(chǎn)替代,IMW120R045M1國產(chǎn)替代,C3M0075120D國產(chǎn)替代,C3M0160120D國產(chǎn)替代,C3M0040120K國產(chǎn)替代
銷售的產(chǎn)品: 英飛凌IGBT單管國產(chǎn)替代,英飛凌混合IGBT單管國產(chǎn)替代,BGH50N65HF1,IKW50N65RH5國產(chǎn)替代,AIKW50N65RF5國產(chǎn)替代,IKW50N65SS5國產(chǎn)替代,BGH50N65ZF1,IKZA50N65RH5國產(chǎn)替代,IKZA50N65SS5國產(chǎn)替代,BGH75N65HF1,IKW75N65RH5國產(chǎn)替代,IKW75N65SS5國產(chǎn)替代,BGH75N65ZF1,IKZA75N65RH5國產(chǎn)替代,IKZA75N65SS5國產(chǎn)替代,BGH40N120HF,IKW40N120H3國產(chǎn)替代,
采購的產(chǎn)品: 光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管,國產(chǎn)混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,國產(chǎn)SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國產(chǎn)SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,國產(chǎn)TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器S
主營行業(yè):
儀表
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